[发明专利]一种PECVD镀膜机有效
申请号: | 202011264211.8 | 申请日: | 2020-02-10 |
公开(公告)号: | CN112680721B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 林佳继;刘群;张武;朱太荣;庞爱锁;林依婷 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458;C23C16/54 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种PECVD镀膜机,包括用于镀膜操作的真空炉腔,所述真空炉腔内设有至少两个与硅片相关的工位,硅片的烧制工位同时也是硅片的装载工位,硅片被通过平移机构装入镂空载板中,镂空载板包括多个,多个镂空载板在硅片的装载工位上下排列且等间距均布,形成硅片载具,单个镂空载板上至少设有一个镂空部位和一个安装部位,镂空部位位于镂空载板的中部,所述安装部位位于所述镂空载板的一侧,多个镂空载板的安装部位位于镂空载板的同一侧。本发明采用竖向送片和水平插片的方式,硅片和电极片的交替对插在真空炉腔内完成,对于镀膜过程来说,从插片到镀膜的过程,都可以进行氛围控制,有利于调整镀膜环境,提升镀膜质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 镀膜 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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