[发明专利]一种多层外延减压生长方法在审
| 申请号： | 202011264301.7 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112382560A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 侯龙 | 申请（专利权）人： | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 刘宁 |
| 地址： | 400700 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了多层外延减压生长方法，涉及超级结型功率器件外延生长技术领域，包括如下步骤：A、减压外延生长设备的反应腔前处理；B、外延减压生长步骤；C、每重复步骤A、B 3～5次后进行一次图形刻蚀步骤；D、图形刻蚀的后处理。减压外延工艺比普通外延工艺时间减少10％以上，设备产能提升可达30％以上，本申请所指减压外延工艺对图形的保形更好，可以减少超级结型功率器件两道光刻工艺，本申请所指减压外延低温工艺使wafer的翘曲改善，更利于后续工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 外延 减压 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
