[发明专利]一种氧化钨基陶瓷靶材、薄膜及薄膜制备工艺有效
| 申请号： | 202011268699.1 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112501566B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张虎;高明;杨本润 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学宁波创新研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化钨基陶瓷靶材、薄膜及薄膜制备工艺，该种氧化钨基陶瓷靶材，包括氧化钨和掺杂源元素，所述掺杂源元素的总质量分数为5‑50％，所述掺杂源粉的掺杂元素选自Ti、Mo、V、Al、Li、Zr中的至少三种，所述Ti元素的质量分数范围是0‑15％，所述Mo元素的质量分数范围是0‑15％，所述V元素的质量分数范围是0‑10％，所述Al元素的质量分数范围是0‑2％，所述Li元素的质量分数范围是0‑2％，所述Zr元素的质量分数范围是0‑2％。陶瓷靶材使用磁控溅射方法制备薄膜，包括预溅射、磁控溅射、退火步骤。本发明制备的氧化钨基薄膜，使得最后制备得到的薄膜的电阻率在15.4Ω*cm以下，透射率在54.2％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 陶瓷 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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