[发明专利]半导体器件及形成用于预成型基底的脱模结构的方法有效
| 申请号： | 202011268750.9 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112820699B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 亨利·德斯卡尔索·巴桑;齐格蒙德·拉米雷斯·卡马乔 | 申请（专利权）人： | 商升特公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王立普 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有基底面板，该基底面板具有基底，该基底具有第一基底区域和在第一基底区域的覆盖区之外的第二基底区域。多个半导体管芯或离散IPD被设置在第一基底区域上方。基底区域102a具有用于半导体管芯的电互连线。使用传递模塑工艺将模塑料设置在半导体管芯和第一基底区域上方，这留下了模具剔除件和设置在第二基底区域上方的模具浇口。在模具浇口下方的第二基底区域中形成基底边缘。该基底边缘延伸到模塑料下方的第一基底区域中，以加固模具浇口并减少脱模期间的破裂。基底边缘可具有多种形式，例如平行杠、斜杠、正交杠及其组合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 用于 成型 基底 脱模 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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