[发明专利]一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法

摘要

本发明为提供一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法。包括以下步骤：S1、利用酸性溶液去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；S2、将清洗后的硅片通过物理气相沉积技术沉积铝膜；S3、在沉积铝膜后的硅片表面沉积一层PSG，并进行一系列退火处理；S4、将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和杂质；再将处理过的硅片进行表面制绒；S5、将处理后的硅片进行非晶硅镀膜；S6、在非晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；S7、在硅片两面的透明导电膜层上形成栅线电极，从而完成异质结电池片的制作流程。本发明所述工艺加工的铸造单晶按常规异质结流程的少子寿命，电性能中转换效率、开路电压、短路电流及填充因子均有较大程度的提升。