[发明专利]半导体装置及半导体系统在审
| 申请号： | 202011271959.0 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112802889A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 雨堤耕史;则松和良;冲川满 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体系统。本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。半导体装置包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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