[发明专利]一种介质阻挡放电调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的方法有效
| 申请号： | 202011277040.2 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112299496B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王召;郑静轩;侯宝红;尹秋响;龚俊波;郝红勋 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;C01G51/00;C01G1/02 |
| 代理公司： | 天津市尚文知识产权代理有限公司 12222 | 代理人： | 黄静 |
| 地址： | 300000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种介质阻挡放电调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的方法，步骤包括：将反应试剂混合置于等离子体反应釜中；将反应釜置于等离子发生电极之间；向反应釜中通入等离子体发生气；调节等离子体发生装置工作电压，在工作电极上产生工作电压及工作电流，击穿等离子体发生气，产生等离子体，作用于反应试剂；将所得产物进行洗涤和干燥。通过调整反应试剂种类、离子体发生气的种类、处理功率或处理时间中至少一项参数，调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的浓度。本发明的有益效果在于，可以直接对尖晶石金属氧化物表面进行修饰，引入可控目标浓度的阴阳离子缺陷，显著提升尖晶石电化学催化活性，操作简单、短时高效、环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 阻挡 放电 调控 尖晶石 金属 氧化物 表面 阴阳 离子 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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