[发明专利]一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路有效

专利信息
申请号: 202011277041.7 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112491021B 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 曾传滨;李晓静;高林春;闫薇薇;倪涛;王加鑫;李多力;罗家俊;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/02
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于半导体技术领域,公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路,用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路;包括:端口PAD、第一、第二、第三、第四、第五、第六静电阻抗器以及伪电源;端口PAD还依次通过第一以及第五静电阻抗器连接伪电源;端口PAD通过第二静电阻抗器接地;端口PAD还通过第三静电阻抗器接地;端口PAD还通过依次串联的第六以及第四静电阻抗器接地;端口PAD还通过依次串联的第一和第三静电阻抗器接地;第六与第四静电阻抗器之间连接有防护对象连接端口。本发明提供的静电放电防护钳位电路在满足电路冷备份特性需求的前提下,提高电路静电放电防护性能。
搜索关键词: 一种 绝缘体 电路 静电 放电 防护
【主权项】:
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