[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202011278124.8 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397997B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 童吉楚;徐枫;谢昆江 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时，设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分，由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加，进而能够对半导体激光器的光场限制，使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧，有效降低半导体激光器的发散角。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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