[发明专利]基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统及方法有效

专利信息
申请号: 202011280482.2 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112391603B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 孔全存;祝福莉;徐荣福;陈鑫鸣;汪子锐;李霄;陈寒放 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: C23C16/04 分类号: C23C16/04;C23C16/448;C25F7/00
代理公司: 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 代理人: 杨中鹤;麻雪梅
地址: 100192 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开涉及电化学加工技术领域,具体提供了一种基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统及方法。该制备系统包括供气装置、沉积装置、电极毛细自持装置、中空电极、气体冷却装置和供液装置,供气装置和气体冷却装置分别通过供气阀和抽气阀与沉积装置连接,气体冷却装置内设有真空泵,电极毛细自持装置包括电极固定装置和装液装置。制备方法包括以下步骤:通过供液装置向装液装置中注入亲水液体;在亲水金属管毛细自持现象下,亲水液体填满小管的内部;向沉积装置中提供压强为0.35MPa的真空环境;向沉积装置中通入Parylene气体;经过t时间后,Parylene气体以Parylene聚合物的形态附着在中空电极的外表面;镀膜结束,气体冷却装置将镀膜过程中剩余气体冷阱捕集凝集。
搜索关键词: 基于 沉积 中空 电极 侧壁 绝缘 制备 系统 方法
【主权项】:
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