[发明专利]一种双层反应腔体结构在审
| 申请号： | 202011281050.3 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112382553A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林佳继;庞爱锁;刘群;张武 | 申请（专利权）人： | 拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体和太阳能光伏电池技术领域，具体涉及一种双层反应腔体结构，旨在解决现有技术中反应腔使用寿命受限形成的问题，其技术要点在于：包括内层腔体及外层腔体，所述内层腔体与所述外层腔体同轴设置，并且长度相等，所述内层腔体位于所述外层腔体内侧，所述外层腔体长度方向两端分别设置有炉口法兰及炉尾法兰，用于固定所述内层腔体及外层腔体。通过内外两层腔体的设置，使得外层腔体用于抽真空承受压力，所述内层腔体用于承接薄膜生长，不承受真空压力，使用过程中，外层腔体无镀膜层的影响，内层腔体不承受真空压力，可以有效地提升双层反应腔体的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 反应 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司，未经拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011281050.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
