[发明专利]一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物/碳复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011282462.9 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397699B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王贝贝;王刚;马生华;焦筱娟;王惠 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M4/136;H01M4/1397;H01M4/04;H01M10/054;H01M10/058;C01B19/00;C01B32/05 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物/碳复合材料及其制备方法和应用，它涉及一种金属硫属化合物复合材料及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有过渡金属硫属化合物存在导电性低，体积效应大，机械强度较差的缺点，将其用作钾离子电池负极材料时存在比容量和倍率性能均低的问题。一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物/碳复合材料是通过水热合成及高温煅烧原位引入阴离子的方法制备而成，化学式为WM |
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| 搜索关键词： | 一种 富含 阴离子 空位 过渡 金属 化合物 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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