[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011282626.8 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112582508B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;尚玉平;梅劲;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底、AlN缓冲层、三维成核层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层、低温p型层、电子阻挡层和高温p型层，多量子阱层包括多个In |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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