[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一叠层结构，其自下而上依次包括衬底、绝缘层、第一隔离层、牺牲层及第二隔离层；形成凹槽，其在垂直方向上贯穿第二隔离层、牺牲层、第一隔离层及绝缘层，并延伸至衬底中；形成上层导电层于第二隔离层上，上层导电层还覆盖凹槽的侧壁与底面。本发明预先形成在垂直方向上贯穿第二隔离层、牺牲层、第一隔离层及绝缘层并延伸至衬底中的凹槽，再形成上层导电层，其中，上层导电层不仅位于第二隔离层上，还覆盖凹槽的侧壁以与衬底连接，从而实现绝缘层上的导电层与衬底之间的导通，实现接地需求，防止三维存储器制作过程中因静电积累导致电性击穿或其它影响而损坏器件。