[发明专利]深紫外发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202011283746.X | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112510126B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 范伟宏;李东昇;张晓平;马新刚;高默然;赵进超 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司;厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/18 | 分类号： | H01L33/18;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种深紫外发光二极管及其制造方法，深紫外发光二极管包括外延层，外延层包括第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，其中，外延层中包括第一台阶，第一台阶的一个台阶面为第二半导体层的表面，第一台阶的侧壁为多量子阱层和第二半导体层的侧壁，第一台阶的另一个台阶面为第一半导体层的表面；第一欧姆接触层，与第一半导体层接触；第二欧姆接触层，与第二半导体层接触。本申请通过在深紫外发光二极管的外延层中形成阵列分布的第一台阶，并在第一台阶的侧壁形成粗化表面，增加深紫外发光二极管的侧壁面积比例，从而提高深紫外发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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