[发明专利]一种半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202011283775.6 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112103347A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡君正;周儒领;许宗能;吴佳特;许玉媛 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括：提供一衬底，其包括高压区和低压区；形成牺牲氧化层和牺牲氮化层于所述衬底上；形成图案化的光阻层于所述氮化层，并暴露出位于所述高压区上的所述牺牲氮化层；以所述图案化的光阻层为掩模，对所述高压区进行刻蚀，以于所述高压区内形成凹部；形成高压氧化层于所述凹部内，其与所述牺牲氧化层平齐，且厚度大于所述牺牲氧化层的厚度；移除所述低压区上的所述牺牲氮化层；形成介质层于所述高压区和所述低压区上；形成先进图案化层于所述介质层上，以及形成覆盖层于所述先进图案化层上；形成至少一浅沟槽隔离结构于所述衬底中。本发明改善了浅沟槽隔离结构中填充孔洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶芯成（北京）科技有限公司，未经晶芯成（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011283775.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可移动式光储系统的并网点电压控制方法及系统
- 下一篇：一种快速接头
- 同类专利
- 专利分类
