[发明专利]一种具有高导电率的铜基复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202011284288.1 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112342596A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陶静梅;张贺;易健宏;刘意春;鲍瑞;李凤仙;李才巨;游昕;谈松林 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C25D15/02 | 分类号： | C25D15/02;C25D3/38;C25D5/48;C25D5/50 |
| 代理公司： | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人： | 王远同 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有高导电率的铜基复合材料的制备方法；将碳纳米材料均匀地分散在硫酸铜溶液中，在镀液中加入硫酸调节pH值，将配制好的溶液用磁力搅拌器将其充分混合；以金属板为阳极另一种金属板为阴极，对复合溶液通入电流，使碳纳米管和铜离子共同沉积到阴极基板上；电镀结束后，将复合薄膜从电极上取下，经干燥处理后使用管式炉在氮氢气氛下对复合薄膜进行还原，经过还原处理后，将复合薄膜叠加到一定厚度，放入石墨模具中，采用适宜的烧结工艺对复合薄膜进行烧结，得到致密的碳纳米管铜基复合材料。复合共沉积过程中碳纳米管是在二维内分布，主要填充空隙，使复合材料获得与纯铜相当的导电率与延伸率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011284288.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
