[发明专利]一种GaN基紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基紫外探测器及其制作方法，方法制作方法包括：一、提供衬底，所述衬底设有多条梯形条和多条梯形槽，所述梯形条和梯形槽交替设置形成阵列结构，所述梯形条的上表面设有保护层；二、在梯形槽内形成吸收晶体层，所述吸收晶体层由GaN制成，其中，每个梯形槽内设有隔离槽，所述隔离槽将梯形槽内的吸收晶体层分开成两个；三、在吸收晶体层上形成电极，所述电极与所有吸收晶体层形成导电连接。本发明通过衬底上的梯形条和梯形槽形成阵列结构，使得形成在梯形槽内吸收晶体层被梯形条隔开，从而增加吸收晶体层的吸光面积，并减少吸收晶体层的缺陷密度，有效来增强本发明GaN基紫外探测器对紫外光光致电流反应。