[发明专利]一种氮掺杂碳/硒化钼/石墨烯纳米盒材料、制备方法及应用在审
申请号: | 202011285509.7 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112408358A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 蒋仲庆;贾锦华;陈巍衡;孙慧敏;童敏飞;徐明帅;令雄雄 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | C01B32/05 | 分类号: | C01B32/05;C01B19/04;C01B32/19;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054 |
代理公司: | 杭州敦和专利代理事务所(普通合伙) 33296 | 代理人: | 姜术丹 |
地址: | 310000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种氮掺杂碳/硒化钼/石墨烯纳米盒材料、制备方法及应用,氮掺杂碳/硒化钼/石墨烯纳米盒材料由用作的基底的氮掺杂碳纳米盒和生长在基底上的硒化钼层以及位于硒化钼层上的石墨烯层构成;本发明利用结构的相似性使硒化钼生长于氮掺杂碳纳米盒与石墨烯的中间,其中,氮掺杂碳纳米盒支撑层具有良好的导电性和多孔结构,有利于电子传输和电解液渗入;表面的石墨烯保护层可以减少硒化钼的溶解破坏,提高了材料的稳定性与倍率性能,有效的解决纯硒化钼作为钠离子电池负极材料自聚严重、导电性弱、体积形变大、容量低等技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 硒化钼 石墨 纳米 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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