[发明专利]一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202011290392.1 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112397218B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈善勇;薛莹雪 | 申请（专利权）人： | 重庆文理学院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L51/50;H01B3/44;H01B1/02;H01B7/02;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229 | 代理人： | 李靖 |
| 地址： | 40216*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极，其特征在于：所述薄膜电极中核壳结构的银@PVP纳米线是由银纳米线为核，PVP为壳，核壳结构纳米线交叉点被焊接，由PVP在交叉点外围形成完整包覆。本发明中核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极中，银纳米线分散优异，在保留PVP绝缘层的同时，保证了电极具有优异的导电性和稳定性，方阻低至32.5Ω/sq，透过率高达94.5%，在85%湿度和85℃下放置30天后，方阻仅增加0.98倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 pvp 纳米 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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