[发明专利]一种高压功率芯片的深结复合终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011292087.6 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420812A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李学宝;王振硕;马慧远;马浩 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学;国网北京市电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 涂琪顺 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压功率芯片的深结复合终端结构，所述复合终端结构包括:横向变掺杂区域、结终端延伸区域和SIPOS结构；所述横向变掺杂区域为在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，再经高温扩散形成的区域；所述结终端延伸区域设置在所述横向变掺杂区域(VLD)的末端，并与所述横向变掺杂区域呈部分交叠设置，所述结终端延伸区域(JTE)为棚离子在高温下扩散形成的区域；所述SIPOS结构设置在所述横向变掺杂区域和结终端延伸区域的上部。本发明将SIPOS结构覆盖于横向变掺杂区域和结终端延伸区域之上来减少终端区的面积，提高其终端效率，降低界面电荷对终端结构击穿电压的影响，达到在存在界面电荷的情况下满足3.3kV等级的耐压要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 芯片 复合 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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