[发明专利]半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011292188.3 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112490369A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 杨世和;刘通发 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 刘方 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法，半导体材料的制备方法包括以下步骤：沉积羧酸盐溶液，羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；沉积有机胺盐/脒盐溶液；在50℃～160℃进行退火。本发明使用羧酸盐和有机胺盐/脒盐作为原料，所用的溶剂可以不含DMF、DMSO等强极性且有毒溶剂，适合在极性溶剂敏感和极性溶剂不敏感的各种衬底上生长钙钛矿，并且对环境友好。本发明还利用羧酸盐溶液和有机胺盐/脒盐溶液作为钙钛矿前驱体材料，在碳电极中进行结晶，使得与钙钛矿层直接接触的碳电极材料被钙钛矿材料包裹，造成“钙钛矿/碳”异质结的接触面积增加，以提升器件光电转换性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 制备 方法 钙钛矿 半导体器件 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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