[发明专利]半导体结构及其形成方法、对准方法在审
| 申请号： | 202011295491.9 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420718A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 薛靖宇;张鹏真;郭龙霞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、对准方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括器件区域和位于所述器件区域外围的外围区域；对准标记，位于所述衬底上的外围区域，所述对准标记包括闪耀光栅结构，用于在刻蚀所述器件区域的过程中对准所述器件区域的位置。本发明能够有效的提高对准精度，改善后续的光刻质量，提高半导体产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 对准 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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