[发明专利]一种碳化硅MOS器件在审
| 申请号： | 202011295998.4 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112397592A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 艾育林 | 申请（专利权）人： | 江西万年芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 335500 江西省上饶市万年县高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOS器件，包括金属漏极，金属漏极的上端面设有漏电极，漏电极的上端面设有N+型碳化硅衬底，N+型碳化硅衬底的上端面设置有N型碳化硅漂移区，N型碳化硅漂移区的上端面生长有碳化硅N‑外延层；碳化硅N‑外延层左上方和右上方均具有源极沟槽，源极沟槽下方自上而下具有碳化硅P+掺杂区以及碳化硅P型掺杂区；碳化硅N‑外延层的上端面设有源极金属，碳化硅N‑外延层和源极金属上设有贯穿的槽，槽内壁以及外表面设有栅氧化层，槽内设有栅极低阻淀积物；槽顶端自下而上依次设有栅氧化层、栅极低阻淀积物、栅极金属。本发明将栅氧化层设置为纵向，嵌入到碳化硅体内，导通时，电流路径更短，因此导通电阻更低，电流能力更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mos 器件 | ||
【主权项】：
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