[发明专利]新型绝缘栅双极型晶体管及控制电路在审

专利信息
申请号: 202011299926.7 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112289849A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 朱敏;林新春;王福龙 申请(专利权)人: 苏州力生美半导体有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/739;H03K17/284
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 叶栋
地址: 215123 江苏省苏州市苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种新型绝缘栅双极型晶体管及控制电路,包括栅结构、N+源区、P型体区、N基区及P+漏注入区,绝缘栅双极型晶体管包括覆盖设置于N+源区上的发射极、及覆盖设置于P+漏注入区上的集电极;N基区包括靠近P型体区设置的N基区,栅结构包括覆盖于N+源区和P型体区以及N基区上的栅氧;新型绝缘栅双极型晶体管还包括用以将P型体区与N基区隔离的隔离层,隔离层用以将P型体区与N基区隔离,进而将N基区引出作基极控制端;仅在新型绝缘栅双极晶体管关断时,在栅极处加反向驱动电压,在基极加正向驱动电压,从而使N基区与P型体区之间形成反偏,N基区中的空穴被反向电场加速漂移到P型体区,使得新型绝缘栅双极型晶体管迅速关断,降低器件功耗。
搜索关键词: 新型 绝缘 栅双极型 晶体管 控制电路
【主权项】:
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