[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 202011299955.3 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112885739A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李水根 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够抑制颗粒对晶片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：将基片保持为水平的保持部；使上述基片与上述保持部一起绕铅垂轴旋转的基片旋转部；对由上述保持部保持的上述基片的上表面供给流体的喷嘴；对上述喷嘴供给上述流体的供给部；和使上述喷嘴在上述基片的径向上移动的移动部。上述喷嘴包括：释放上述流体的第一喷嘴部；和在与上述第一喷嘴部不同的方向释放上述流体的第二喷嘴部。上述第一喷嘴部的出射线和上述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉。上述供给部包括：调节述第一喷嘴部的释放量的第一流量控制器；和以独立于上述第一喷嘴部的释放量的方式调节上述第二喷嘴部的释放量的第二流量控制器。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
