[发明专利]一种硫空位Cu-MoS2有效

专利信息
申请号: 202011301601.8 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112473698B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 叶伟;陶婷 申请(专利权)人: 杭州师范大学
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/08;B01J37/10;B01J37/34;C25B1/27;C25B11/091
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310015 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及催化材料领域,针对现有电催化固氮催化剂催化活性不高的问题,公开了一种硫空位Cu‑MoS2催化剂的制备方法,包括:制备MoO3纳米带;将MoO3纳米带溶于第一溶剂中搅拌至溶解,加入硫脲、二价铜的化合物搅拌至溶解,反应釜中反应后,离心洗涤得到Cu掺杂的MoS2催化剂;将Cu掺杂的MoS2催化剂在保护气体下进行煅烧;对煅烧后的Cu掺杂的MoS2进行离子体处理。本发明制备的MoS2催化剂,Cu的掺杂形成了异核双原子中心,同时引入了硫空位,实现了缺陷催化剂与异核双原子的结构设计,本发明制备Cu‑MoS2催化剂表现出优异的电催化氮还原活性,合成方法反应条件温和、产率高,适合于催化剂的规模化生产。
搜索关键词: 一种 空位 cu mos base sub
【主权项】:
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