[发明专利]一种硫空位Cu-MoS2 有效
申请号: | 202011301601.8 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112473698B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 叶伟;陶婷 | 申请(专利权)人: | 杭州师范大学 |
主分类号: | B01J27/051 | 分类号: | B01J27/051;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/08;B01J37/10;B01J37/34;C25B1/27;C25B11/091 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310015 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明涉及催化材料领域,针对现有电催化固氮催化剂催化活性不高的问题,公开了一种硫空位Cu‑MoS |
||
搜索关键词: | 一种 空位 cu mos base sub | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州师范大学,未经杭州师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011301601.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。