[发明专利]一种IGBT退饱和故障的检测装置有效
| 申请号： | 202011302109.2 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112130050B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 徐晓彬;施贻蒙;李军;王文广 | 申请（专利权）人： | 杭州飞仕得科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种IGBT退饱和故障的检测装置，包括与信号通道连接的逻辑处理电路、MOS管、第一二极管和信号输出电路。逻辑处理电路与信号通道连接，用于在脉宽调制信号为低电平时向MOS管的门极输出导通控制信号、高电平时向MOS管的门极输出截止控制信号；MOS管的漏极与第一二极管的正极连接、源极接地；第一二极管的负极与待检测IGBT的C极连接、正极与信号输出电路连接，第一二极管的正极的高电平信号用于作为退饱和故障信号；信号输出电路用于将第一二极管的正极与待检测IGBT的保护处理单元信号连接。本方案由于在脉宽调制信号为低电平时通过MOS管将用于输出退饱和故障信号的二极管的正极强制拉低，从而保证了在对IGBT进行退饱和故障检查时不会发生误报。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 饱和 故障 检测 装置 | ||
【主权项】：
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