[发明专利]三维存储器的制造方法及三维存储器有效
| 申请号： | 202011302330.8 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112466882B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王迪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27;H10B43/10 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器的制造方法及三维存储器，在三维存储器的制造方法中，由于台阶区上第一堆叠结构顶部的部分常规半导体层替换为替代半导体层，且在刻蚀第一堆叠结构顶部的常规半导体层时，替代半导体层的刻蚀速率高于常规半导体层的刻蚀速率，使得刻蚀形成的栅线分隔槽在阵列区和台阶区的刻蚀深度不一样，基于此，后续在栅线分隔槽的侧壁上形成的阻挡层会遮挡住台阶区上第一堆叠结构中部的常规半导体层，通过栅线分隔槽的底部湿法刻蚀去除第一堆叠结构中部的常规半导体层时，台阶区上第一堆叠结构中部的常规半导体层被保护柱，强化了台阶区底部的支撑架构，简化了台阶区上虚拟沟道结构的支撑需求，并降低了虚拟沟道结构的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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