[发明专利]一种非对称电极石墨烯/二维材料异质结级联光电探测器在审
申请号: | 202011303908.1 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112531069A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 陈慧霞;徐成;付永启 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邓黎 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种非对称电极石墨烯/二维材料异质结级联光电探测器,属于光电技术领域。该结构由衬底、功函数不同的两个电极、以及两电极之间的多层异质结构成。由于非对称电极和不同费米能级的石墨烯/二维材料异质结的存在,可以形成大的电势梯度差,当光入射后光生载流子迅速扩散到外电路形成光电流,避免了载流子的复合。该器件充分利用了石墨稀与二维材料的性质,提高了探测器的光响应度,同时由于电势梯度差的存在增加了载流子的移动速率,提升了响应速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 对称 电极 石墨 二维 材料 异质结 级联 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的