[发明专利]具有金属氧化物半导体结构的半导体装置在审
| 申请号： | 202011308208.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112825334A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李奎沃;俞在炫;金贞敬;宋周泫;赵秀娟;洪元杓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括半导体衬底。漂移区设置在半导体衬底中。漂移区具有第一导电类型。主体区设置在半导体衬底中，邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区设置在漂移区中，与主体区相对。漏极隔离绝缘膜设置在邻近于漏极区的漂移区的一部分中。栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，并且在主体区的一部分和漂移区的一部分上方延伸。栅电极设置在栅极绝缘膜上，并且栅电极具有至少一个闭合类型的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 氧化物 半导体 结构 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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