[发明专利]MOS工艺角SPICE模型参数获取方法在审
| 申请号： | 202011309907.8 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112507654A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F30/17 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS工艺角SPICE模型参数获取方法，包括：根据MOS器件类型将选定工艺角上的参数拷贝到FNSP或SNFP中；将相关工艺参数和电容参数设定为FNSP或SNFP上相应的指定值；将选定工艺角上参数之外的其它参数乘以指定系数，获得FNSP或SNFP上的工艺角参数。本发明在工艺角参数里面引入模型参数电子通道长度偏差/电子通道宽度偏差的差值长度偏差值/宽度偏差值的概念，在不改变物理尺寸的前提下，修正器件的电学尺寸，从而改变器件的电学特性，实现快速提取FNSP/SNFP的工艺角模型。 | ||
| 搜索关键词： | mos 工艺 spice 模型 参数 获取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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