[发明专利]制造包括纳米片的集成电路的方法和计算系统在审
| 申请号： | 202011310722.9 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112883680A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡中揆;郑臻愚;千宽永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/394;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了制造包括纳米片的集成电路的方法和计算系统。所述制造集成电路的方法包括：通过对定义所述集成电路的标准单元进行布局和布线，生成所述集成电路的布图数据，所述标准单元包括纳米片；通过使用所述布图数据执行所述集成电路的时序分析，生成时序分析数据；以及通过基于所述时序分析数据和所布局的所述标准单元的所述纳米片的形状对定义所述集成电路的所述标准单元进行重新布局和重新布线，重新生成所述集成电路的布图数据。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 纳米 集成电路 方法 计算 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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