[发明专利]发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011311951.2 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN113451460B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 翟小林;杨顺贵;刘勇兴;黎力;周毅 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种发光器件，发光器件上包括衬底基板以及层叠设置于衬底基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层。发光层包括周期性交叠的发光单元，发光单元包括含铟量子阱层、量子垒层和含铟插入层，含铟插入层夹设于含铟量子阱层和量子垒层之间，且含铟插入层中铟元素的含量大于含铟量子阱层中铟元素的含量。本发明通过对发光层进行结构设计，在发光单元中加入含铟组分配比的含铟插入层，缓解了发光单元中的强极化电场，并以此减小了发光层中极化电场的影响，增加电子空穴的波函数重叠，提高了载流子辐射复合效率，进而能够提升发光器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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