[发明专利]单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器在审
申请号: | 202011312361.1 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112420097A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 薛晓勇;赵晨阳;方晋北;陈德扬;杨何勇;张洵铭 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于存储器技术领域,具体为一种单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器。本发明存储器的存储单元包括:一个重金属导电层、一个磁阻元件和两个开关元件;磁阻元件有三层,分别是磁化方向固定的磁性材料层、非磁性材料层、磁化方向可变的磁性材料层;第一开关元件用于控制存储单元写入通路的导通或关闭,第二开关元件用于控制存储单元读取通路的导通或关闭;当第一开关元件是NMOS管时,第二开关元件是PMOS管;当第一开关元件是PMOS管时,第二开关元件是NMOS管。本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器,利用NMOS管和PMOS管分别控制写入和读取操作,从而将传统方案中的写字线与读字线合并,实现减小面积代价、简化控制逻辑的效果。 | ||
搜索关键词: | 单字 自旋 轨道 磁性 随机 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011312361.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。