[发明专利]单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器在审

专利信息
申请号: 202011312361.1 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN112420097A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 薛晓勇;赵晨阳;方晋北;陈德扬;杨何勇;张洵铭 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于存储器技术领域,具体为一种单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器。本发明存储器的存储单元包括:一个重金属导电层、一个磁阻元件和两个开关元件;磁阻元件有三层,分别是磁化方向固定的磁性材料层、非磁性材料层、磁化方向可变的磁性材料层;第一开关元件用于控制存储单元写入通路的导通或关闭,第二开关元件用于控制存储单元读取通路的导通或关闭;当第一开关元件是NMOS管时,第二开关元件是PMOS管;当第一开关元件是PMOS管时,第二开关元件是NMOS管。本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器,利用NMOS管和PMOS管分别控制写入和读取操作,从而将传统方案中的写字线与读字线合并,实现减小面积代价、简化控制逻辑的效果。
搜索关键词: 单字 自旋 轨道 磁性 随机 存储器
【主权项】:
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