[发明专利]一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片在审

专利信息
申请号: 202011314754.6 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN114520278A 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 张剑桥;肖桂明;陆前军 申请(专利权)人: 广东中图半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/22
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片。该掺杂量子点的图形化衬底制备方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成一层异质层,在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点;对所述异质层进行图形化,形成多个异质微结构,所述异质微结构中掺杂有所述量子点。本发明实施例解决了传统白光LED中荧光粉可靠性较低的问题,不仅可使异质微结构实现了光线激发转换LED颜色的功能,减少了封装过程中涂覆荧光粉的工艺步骤;同时还可以使量子点密封于异质微结构中,隔绝外部环境,克服传统涂覆荧光粉易于老化脱落的缺点,有助于实现色彩还原度好、抗老化变黄的白光LED。
搜索关键词: 一种 掺杂 量子 图形 衬底 制备 方法 led 外延
【主权项】:
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