[发明专利]一种光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 202011316694.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420467A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;李芬;田宏;朱虹;王国建;赵恒邦;李云;王小霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括：光电阴极基体，锑碱金属化合物，光电阴极基体的表面为经过离子束轰击表面改性处理后的；锑碱金属化合物，制备在光电阴极基体的表面上。该制备方法包括：在光电阴极基体表面实施离子束轰击表面改性处理，得到离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体；利用第一加热体将离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体加热至预设温度；利用第二加热体加热锑源使锑蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面，形成锑膜；利用第二加热体加热碱金属源，使碱金属蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面，与锑膜发生反应，生成锑碱金属化合物，完成光电阴极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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