[发明专利]一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法有效
| 申请号： | 202011316969.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420604B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 王晓东;何昱蓉;韩国威;宋培帅;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法，包括：S1，在高阻硅晶圆(1)上刻蚀通孔；S2，热氧处理高阻硅晶圆(1)，以制备出隔离层(2)；S3，刻蚀低阻硅晶圆(3)，制备可动结构区(4)和欧姆接触区(5)；S4，热压键合高阻硅晶圆(1)和低阻硅晶圆(3)，使欧姆接触区(5)位于通孔上方；S5，在通孔内壁溅射金属种子层(6)；S6，在金属种子层(6)内壁电镀金属填料层(7)；S7，减薄抛光高阻硅晶圆(1)背面，得到TSV垂直电学互连器件。本发明的制备方法能够避免引线键合中长布线带来的尺寸限制和信号延迟等问题，减小电容/电感，实现芯片间的低功耗，在高频和大带宽电路中表现出优异的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 热压 tsv 垂直 电学 互连 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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