[发明专利]对准工艺方法有效
| 申请号： | 202011319110.6 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112366200B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 董俊;张顾斌;王雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对准工艺方法,包括：步骤一、在底层结构上形成对准标记，对准标记的周侧设置有外围区，对外围区的底层结构中的晶格缺陷进行控制，外围区的晶格缺陷要求保证后续形成的顶层外延层在对准标记的周侧的晶格缺陷减少到使对准标记的形变减少到满足后续光刻工艺中的对准工艺要求。步骤二、进行外延生长形成顶层外延层。步骤三、进行光刻工艺，光刻工艺中的对准工艺以对准标记为对准条件进行对准。本发明能防止对准标记的顶层外延层对对准标记产生较大形变，从而能提高顶层外延层后的光刻对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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