[发明专利]微型LED及其制程方法有效
| 申请号： | 202011322165.2 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112992661B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王涛 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种微型LED的制程方法。该方法包括以下操作。在衬底上生长外延片，在外延片上生长电流扩散层，并在电流扩散层上设置光阻层。将第一光线经过第一光罩照射在光阻层上，该第一光线在光阻层上产生泊松亮斑。对光阻层进行显影，再对电流扩散层和外延片进行蚀刻。将光阻层去除，并在蚀刻后的电流扩散层和外延片上设置金属电极。根据申请的微型LED的制程方法，通过使用泊松亮斑进行光刻制备圆柱形的微型LED，能够减少黄光次数、节约生产成本、以及提高微型LED的精度和产量。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 led 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
