[发明专利]原子层沉积设备与制程方法有效
申请号: | 202011327270.5 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112609170B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 林俊成;易锦良;许雲齐;姚信宇 | 申请(专利权)人: | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种原子层沉积设备与制程方法。原子层沉积设备包括腔体、基材载台、中空部件与挡件,其中中空部件具有抽气孔且其底部的一部分对应设置于基材载台的上方。所述挡件对应抽气孔设置,其中挡件具有纵向延伸部与横向延伸部。再者,中空部件上方可连接马达以形成上抽气装置。当上抽气装置做动时,挡件与中空部件之间可形成上抽气路径,以及挡件与基材载台之间可形成下抽气路径。所述上与下抽气路径分别包括第一纵向距离与第二纵向距离,其中第一与第二纵向距离之间的比例可受调整,进而调节腔体内的制程流体的流场,以使原子层沉积制程中的基材可受前驱物均匀的沉积。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鑫天虹(厦门)科技有限公司,未经鑫天虹(厦门)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011327270.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的