[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件有效
| 申请号： | 202011330268.3 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112152086B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件，所述半导体器件的制造方法包括：外延生长形成半导体外延片；根据光刻脊条在所述半导体外延片上刻蚀出第一脊条结构；根据光刻窗口在所述半导体外延片上沉积出第二脊条结构，所述第二脊条结构的脊条宽度小于所述第一脊条结构的脊条宽度，所述第二脊条结构和所述第一脊条结构的材料不同；在所述半导体外延片上依次形成绝缘层和金属层，所述绝缘层覆盖除所述第一脊条结构上表面以外的区域。本申请实现了提高半导体器件单模输出光功率，以及单模激射的稳定性与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 半导体 组件 | ||
【主权项】：
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