[发明专利]一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法，包括Ge衬底，在Ge衬底上按照层状叠加结构由下至上依次设有Ge子电池、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、组分渐变缓冲层、DBR反射层、GaInAs子电池、第二隧穿结、AlGaInAs子电池、第三隧穿结、AlGaInP子电池；AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池的基区与发射区之间形成耗尽层，基区和发射区为带隙渐变结构，通过在含Al子电池中引入带隙渐变结构，提高了耗尽层的材料质量，降低光生载流子主要产生区域的少子复合速率，提高光生载流子收集效率，同时，渐变的带隙具有辅助背场的作用，使远离耗尽层的光生载流子向耗尽层漂移，远离耗尽层的Al组分使含Al子电池的有效带隙更宽，有利于获得更高开路电压。