[发明专利]一种NANDFlash LUN自组读电压序列的方法在审
| 申请号： | 202011331568.3 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112420111A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 曹成 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G06F12/02 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种NANDFlash LUN自组读电压序列的方法，本方法在每一种影响因素到达一定步长阈值时应该进行一次电压值序列的查找，当NAND内Block状态巡检时发现某LUN内首个Block接近影响因素步长阈值时，查找该Block各个Wordline分组在当前环境条件下的最优读电压值序列，并将该条件与读电压值序列保存在内存内。当该LUN内其他Block达到影响因素步长阈值时，首先查找是否已经存在该影响因素步长阈值条件下的读电压值序列，如果存在直接使用。本方法可以在NAND Flash每个LUN内根据实际运行环境自组最优电压序列，有效减少读错误数和读操作错误率，极大提高SSD运行时效率和对不同环境的适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash lun 电压 序列 方法 | ||
【主权项】：
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