[发明专利]非易失性存储器的试错表的生成方法及装置在审
| 申请号： | 202011331608.4 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112331254A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 程威;占志刚 | 申请（专利权）人： | 北京泽石科技有限公司;泽石科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G06K9/62 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 董文倩 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种非易失性存储器的试错表的生成方法及装置。其中，该方法包括：获取导致非易失性存储器的读数据出错的环境变量；确定环境变量的定量描述数值，定量描述数值用于通过精确的数据描述环境变量；分别在不同的环境变量的定量描述数值下，读取非易失性存储器的数据；依据从非易失性存储器读取的数据生成非易失性存储器的试错表。本申请解决了当读Nand flash出现UECC时，利用nand flash厂家提供的固定试错表(retry table)纠正读出错的数据，导致纠错效率较低，而且厂家提供的固定试错表覆盖的使用场景较少的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 试错表 生成 方法 装置 | ||
【主权项】：
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