[发明专利]半导体器件的制备方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 202011332020.0 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466817B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王嘉鸿;童宇诚;陶丹丹 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8229 | 分类号： | H01L21/8229;H01L21/8239;H01L27/102;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，该制备方法在对牺牲层进行图案化处理，同时形成了沿第一方向的两个间隔设置的第一边界图案单元，以及位于所述第一边界图案单元之间且沿第二方向的若干间隔设置的分隔图案单元。实现了在形成内部精细图案的工艺中同时形成边界图案，使得内部精细图案区域和外围电路区域之间的边界的制备工艺的可用区域增加，制备工艺难度降低，且简化了工艺流程，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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