[发明专利]一种超薄二硒化钨纳米花的制备及应用方法有效
| 申请号： | 202011335335.0 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112520709B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王伟;邢立东;于琪瑶;涂继国 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;H01M4/58;H01M4/1397;H01M10/058;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄二硒化钨纳米花的制备及应用方法，属于功能纳米材料领域。将一定比例的钨源置于指定油性溶剂中，加热至一定温度后进行脱水脱气并进行搅拌，一定时间后形成均匀溶液后冷却至室温，加入硒源升温至所需温度进行反应，清洗离心干燥后将粉末置于惰性气氛中煅烧即可得到结晶性良好的二硒化钨纳米花并应用于钾离子电池负极。本发明生产周期短，成本低，操作简单，反应条件温和，本发明使得该材料具有更优异的性能(循环性能和倍率性能)，可在储能及催化等电化学领域具有更广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 二硒化钨 纳米 制备 应用 方法 | ||
【主权项】：
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