[发明专利]半导体器件和集成电路结构在审
| 申请号： | 202011335525.2 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112563315A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;R·皮拉里塞泰;V·H·勒;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;J·S·卡治安 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/165;H01L29/423;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 卫李贤;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和集成电路结构。其中，半导体器件可包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的嵌入式外延源极区，具有倾斜侧壁；位于半导体衬底上方的嵌入式外延漏极区，具有倾斜侧壁；第一纳米线，从嵌入式外延源极区延伸到嵌入式外延漏极区；第二纳米线，从嵌入式外延源极区延伸到嵌入式外延漏极区，第二纳米线与第一纳米线相比更靠近半导体衬底，至少大部分第二纳米线位于第一纳米线与半导体衬底之间；第一栅极电介质层，位于第一纳米线的至少一部分的周围；第二栅极电介质层，位于第二纳米线的至少一部分的周围；以及栅极电极，在第一纳米线的至少一部分以及第二纳米线的至少一部分的周围设置在第一栅极电介质层和第二栅极电介质层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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