[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202011344582.7 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114551590A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张智伟;锺耀贤;苏士炜;张豪轩;林大钧;简廷安;蔡滨祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一沟槽设置于第二III‑V族化合物层和第一III‑V族化合物层中，其中沟槽具有一第一转角和一第二转角都位于第一III‑V族化合物层中，一第一介电层接触第一转角的侧壁，一第二介电层接触第二转角的侧壁，第一介电层和第二介电层都位于沟槽之外，一栅极设置于沟槽内，一源极电极设置于栅极的一侧，一漏极电极设置于栅极的另一侧，一栅极电极设置栅极的正上方。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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