[发明专利]一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法有效
| 申请号： | 202011345025.7 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112331613B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李邦盛;晋玺;杨尧;梁玉鑫 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法，本发明涉及一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法。本发明的目的是要解决现有TSV填充技术中的填充密度低以及不能填充高深宽比TSV的问题，本发明方法为：将带有TSV硅片固定在液态金属液面上方进行烘烤；然后下移至液态金属液中，超声变幅杆工具头同时下降并浸入金属液中，后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气，液态金属在气压及超声的复合作用下填充至TSV中。本发明可实现高深宽比TSV硅微孔的高质量快速填充，孔径范围80‑300μm，孔深范围200‑500μm，填充率大于99％。本发明应用于硅通孔填充领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 超声 压力 复合 工艺 液态 金属 快速 填充 tsv 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
